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六級能效集成MOS的AC-DC芯片

發布者：diyadmin 發布時間：2013-7-27 11:13:48 閱讀：7378次

六級能效集成MOS的AC-DC芯片

Chipown針對10-24W AC/DC整機內置電源和外置適配器電源，推出了新一代的反激架構PN8147/49系列芯片，內部集成了多模式脈寬調制控制器、快速高壓啟動MOSFET和高雪崩能力功率MOSFET，采用DIP7封裝，外圍元件精簡。

PN8147/49提供了極為全面的智能化保護功能，包括外部可調的周期式過流保護（OCP）、過壓保護（OVP）、過載保護（OLP）、過溫保護（OTP）、軟啟動等功能，該芯片可以承受任何外接元件的開短路/反接破壞測試，包括破壞性很強的RCD和CS短路沖擊。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調節模式混合技術和低功耗半導體器件結構技術實現了符合六級能效的超低待機功耗、全電壓范圍下的****效率。良好的EMI表現由抑制開關峰值的功率MOSFET新結構、頻率調制和軟驅動的專利技術充分保證。

8147/8149的特點:

1. 待機功耗可顯著降低（小于50mW），因為IC自身工作電流極小，且內置高壓啟動MOS管，IC啟動之后自動關閉啟動管；

2. 無需高壓啟動電阻和VDDG電阻，元件精簡，且啟動更快速（小于200ms），比普通高壓電阻啟動快10倍。

3. EMI特性好，CE裕量大于8dB（無輸出共模電感），RE裕量大于5dB（無輸出共模電感）；

4. 內置16級軟啟動功能，更安全。

5. 內置功率MOS管內阻�。�1.7-4Ω），同等輸出功率下的溫升更低。

6. 可承受任何外接元件的開短路/反接破壞測試，包括CS短路保護，防止產線加工時CS電阻短路而燒毀IC，承受任何外接元件的開短路/反接破壞測試，提高產線直通率；很多競爭產品在CS短路后開機必炸機。
7. 采用自主設計的高雪崩能力智能開關MOSFET，在18W反激系統中去掉RCD/ AC264V下仍能正常工作不燒毀，可見該核心功率器件的耐沖擊強度。
8. 通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種混合調節模式技術，在適當的設計方案中，完全可滿足六級能效的四點平均效率標準（帶輸出線）。

訂購代碼	封裝	典型功率
訂購代碼	封裝	密閉	開放
PN8147NSC-T1	DIP7	12W	18W
PN8149NSC-T1	DIP7	18W	24W

注：如果需要產品的詳細手冊或DEMO設計方案等參考資料，請向我們申請。>>